4W-LIBE 4W-LISE 4W-LIME 離子蝕刻系統

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4W 離子蝕刻系統介紹：
LIBE,LISE和LIME系列離子蝕刻系統設計靈活,性價比高、佔用空間小適合通用研究和生產應用。LIBE,LISE和LIME系列離子蝕刻系統以真空平臺為基礎採用兩種不同的離子源。

離子蝕刻

4W 離子蝕刻系統操作原理

利用具有準直特性之離子源，以類似噴砂的效果進行具有方向性的次微米薄膜表面轟擊，在欲處理面上形成所需要的圖形。
通入的氣體為惰性氣體時，如 Ar，則只進行物理性的離子轟擊；或是通入反應性氣體，如O2、NF3、SF6或其他化學氣體等，則會有化學反應的蝕刻效果。

离子蚀刻

4W 離子蝕刻系統應用：
離子蝕刻,離子清洗,等離子灰化,等離子體氧化,表面改性,活性腐蝕,離子束/等離子體化學氣相沉積
薄膜圖形化,線路化,磁性薄膜

自旋電子,MR Sensor

微機電元件,射頻元件,光學元件

超導體

4W 離子蝕刻系統特點：
20cm,12cm,8cm 考夫曼離子源
高產量低能耗的等離子源
直徑150mm工藝表面
脈衝直流偏壓
樣品平台可傾斜,旋轉,水冷,
操作簡單,佔用空間小

相對濕式蝕刻(wet etch)，乾式離子蝕刻技術的優點

圖形線路化精準度佳

線路側蝕現象較少

製程重複性高

對任何材料都有效果

均勻性較佳