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4W-LISE 離子蝕刻系統

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LISE (Laboratory Ion Soft Etch) 離子軟蝕刻系統利用一個低能等離子體源提供中和,低能,發散的離子通量與偏壓,用於軟蝕刻,等離子清洗,等離子體氧化/硝化,以及傳統的反應離子蝕刻應用.此外LISE離子軟蝕刻系統可以用來沉積類鑽膜(DLC)。
 

4W-LISE 離子蝕刻系統

 

4W-LISE 離子蝕刻系統 標準配置:

真空系統

尺寸

20”∅x 24”long

抽速

8” cryo / RV rough

底壓

1 x 10-7 Torr

樣品平臺

樣本區域

150 mm

工裝角度

0 - 90°

轉速

0–20 RPM

偏壓

0-1000 V / 1A
DC & pulsed DC

冷卻方式

水冷

考夫曼
離子源

孔徑大小

NA

柵極

NA

發射源

NA

中和器

NA

陽極

NA

制程氣體

NA

等離子源

放電/中和

空心陰極

陽極束

0-100 V  0–10 A

制程氣體

Ar, Xe, N2, O2, CF4, SF6, CH4, C2H6

 

 

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