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LIME (Laboratory Ion Multi-Etch) 離子多蝕刻系統同時採用考夫曼離子源和低能等離子體源, 獨特的工藝過程適合各種應用
4W-LIME 離子蝕刻系統 標準配置:
真空系統 |
尺寸 20”∅x 24”long |
抽速 8” cryo / RV rough |
底壓 1 x 10-7 Torr |
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樣品平臺 |
樣本區域 150 mm |
工裝角度 0 - 90° |
轉速 0–20 RPM |
偏壓
0-1000 V / 1A |
冷卻方式 水冷 |
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考夫曼 |
孔徑大小 12 cm |
柵極 2 grid, Mo or C |
發射源 DC, filament |
中和器 空心陰極 |
陽極 200–1000V0 - 200 mA |
制程氣體 Ar, Xe |
等離子源 |
放電/中和 空心陰極 |
陽極束 0-100 V 0–10 A |
制程氣體 Ar, Xe, N2, O2, CF4, SF6, CH4, C2H6 |