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4W-LIME 離子蝕刻系統

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LIME (Laboratory Ion Multi-Etch) 離子多蝕刻系統同時採用考夫曼離子源和低能等離子體源, 獨特的工藝過程適合各種應用
 

4W-LIME 离子蚀刻

 

4W-LIME 離子蝕刻系統 標準配置:

真空系統

尺寸

20”∅x 24long

抽速

8” cryo / RV rough

底壓

1 x 10-7 Torr

樣品平臺

樣本區域

150 mm

工裝角度

0 - 90°

轉速

0–20 RPM

偏壓

0-1000 V / 1A
DC & pulsed DC

冷卻方式

水冷

考夫曼
離子源

孔徑大小

12 cm

柵極

2 grid, Mo or C

發射源

DC, filament

中和器

空心陰極

陽極

200–1000V0 - 200 mA

制程氣體

Ar, Xe

等離子源

放電/中和

空心陰極

陽極束

0-100 V  0–10 A

制程氣體

Ar, Xe, N2, O2, CF4, SF6, CH4, C2H6

 

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