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4W-Batch Etch 離子蝕刻系統

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4W Batch Etch 離子蝕刻系統:
4W 批次蝕刻系統是具有需求的靈活度高、具有價格優勢、佔地小等優點。適用一般研發或量產用的離子蝕刻/離子製程工件。4W 批次蝕刻系統可搭配不同的樣品台,治具和離子源以符合客戶需求。



4W Batch Etch 離子蝕刻系統


4W Batch Etch 離子蝕刻系統特點:
8cm - 22cm 柵極KRI 考夫曼離子源

<3% 不均勻性
樣品平臺可傾斜,旋轉,水冷
150 mm 壓板直徑
SIMS 終點偵測
全電腦控制
反應離子蝕刻
單一晶片台板/三晶片台板

4W Batch Etch 離子蝕刻系統配置:

 

基本配置

可選

可選

真空系統:

 

 

 

尺寸

72” x 50”

 

 

真空泵

10” cryo /  Scroll Pump

磁懸浮渦輪分子泵 / Scroll Pump

8” cryo / Scroll Pump

基準壓力

1 x 10-7 Torr

 

 

样品平台

 

 

 

樣本區域

150 mm

Planetary 3x150 mm

< 100mm

工裝角度

0 - 180°

 

 

轉速

0 – 20 RPM

 

 

冷卻方式

水冷

 

 

KRI 考夫曼離子源

 

 

 

孔徑大小

22 cm

12 cm

8cm

柵極

2 grid, Moly

2 grid, Moly

2 grid, Moly

發射源

RF

RF

DC

中和器

PBN

PBN

燈絲

光束

200–1000 V
0 - 1000 mA

200–1200 V
0 - 500 mA

 

制程氣體

Ar, Xe, N2, O2, CF4, SF6, CH4, C2H6

Ar, Xe, N2, O2, CF4, SF6, CH4, C2H6

 

SIMS

 

Hiden Analytical

 

 

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