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4Wave 偏壓式靶材沉積先進光學鍍膜系統
4Wave 的偏壓式靶材沉積先進光學鍍膜系統(簡稱 BTD AOCS)以超過 20 年的離子束和偏壓式靶材濺鍍製程經驗可以提供給客戶最先進的光學薄膜系統。BTD AOCS的設計,可以提供的鍍膜品質,包括密度高,表面平整,品質穩定,且非常低的光學吸收。樣品的進出設計可以確保鍍膜的品質具有重複性。樣品台可以依據客戶的需求做必要的特殊設計。选用KRI 考夫曼离子源.
4Wave 可以客製化AOCS的系統,以符合客戶特殊的鍍膜或式元件的需求。4Wave同樣可以為客戶開發製程,並可以快速移轉到量產線上。
4Wave 偏壓式靶材沉積先進光學鍍膜系統功能
12cm KRI 考夫曼 離子源,做為預清潔用;無柵極式低能量離子源,做為鍍膜用 |
整合式光學監控系統 |
工作範圍可達 300 mm |
全電腦控制 |
有樣品進出(load-lock)的設計 |
適用於惰性與反應性濺鍍製程 |
300mm 範圍內,不均勻性<1% |
平均故障間隔時間 > 1000 小時 |
晶圓與晶間重複性 < 1% |
生產高密度、低吸收、表面光滑之薄膜 |
4Wave 偏壓式靶材沉積先進光學鍍膜系統配置
真空系統 |
自動化 |
選配 |
|
腔體尺寸 |
108”(W) x 68”(L) |
電腦化圖控介面 |
OMS (光學監控系統) 250~1650nm |
抽氣系統 |
10” Cryo Torr/ Scroll pump |
遠端控制 |
|
背壓 |
8 x 10-8 torr |
PLC 低階控制 |
雷射終點偵測系統 |
氣體壓力 |
可達 10-6 torr |
通訊協定 SECS/GEM |
|
樣品台 |
靶材 |
||
樣品區域 |
直徑 300mm |
靶材尺寸 |
直徑可達 16” |
旋轉速度 |
0-200 rpm |
靶材數目 |
3 |
工作區域 |
獨立真空抽氣 |
冷卻 |
水冷 |
冷卻裝置 |
水冷 |
靶材遮板 |
馬達控制 |
KRI離子源 |
沉積(鍍膜) |
預清潔 |
材料特性 |
離子源開口 |
8” |
12cm |
SiO2 |
柵極 |
無柵極 |
2 層柵極,鉬 |
沉積速率> 4Å/s |
發射源 |
直流電(無燈絲) |
RF, 1.8MHz, ICP |
折射率: 1.46-1.48 |
電漿調整 |
N/A |
頻率調整 |
應力< 400MPa |
離子束 |
35 eV/20A |
200-1200V/0-500mA |
Ta2O5 |
中和器 |
中空陰極 |
PBN(最高到 3A) |
沉積速率> 6Å/s |
製程氣體 |
2種氣體 |
1種氣體 |
折射率: 2.09-2.11 |
|
|
|
應力< 400MPa |
4W-偏壓式靶材沉積先進光學鍍膜系統配置
真空系統 |
自動化 |
選配 |
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腔體尺寸 |
108”(W) x 68”(L) |
電腦化圖控介面 |
OMS (光學監控系統) 250~1650nm |
抽氣系統 |
10” Cryo Torr/ Scroll pump |
遠端控制 |
|
背壓 |
8 x 10-8 torr |
PLC 低階控制 |
雷射終點偵測系統 |
氣體壓力 |
可達 10-6 torr |
通訊協定 SECS/GEM |
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樣品台 |
靶材 |
||
樣品區域 |
直徑 300mm |
靶材尺寸 |
直徑可達 16” |
旋轉速度 |
0-200 rpm |
靶材數目 |
3 |
工作區域 |
獨立真空抽氣 |
冷卻 |
水冷 |
冷卻裝置 |
水冷 |
靶材遮板 |
馬達控制 |
KRI 考夫曼離子源 |
沉積(鍍膜) |
預清潔 |
材料特性 |
離子源開口 |
8” |
12cm |
SiO2 |
柵極 |
無柵極 |
2 層柵極,鉬 |
沉積速率> 4Å/s |
發射源 |
直流電(無燈絲) |
RF, 1.8MHz, ICP |
折射率: 1.46-1.48 |
電漿調整 |
N/A |
頻率調整 |
應力< 400MPa |
離子束 |
35 eV/20A |
200-1200V/0-500mA |
Ta2O5 |
中和器 |
中空陰極 |
PBN(最高到 3A) |
沉積速率> 6Å/s |
製程氣體 |
2種氣體 |
1種氣體 |
折射率: 2.09-2.11 |
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應力< 400MP |