本公司推出的 PECVD 是一部單腔制程的電漿輔助化學氣相沉積系統 適用於 200mm 晶圓製造以及Ⅲ-Ⅴ族晶圓制程,可沉積製造薄膜包括氮化矽(SiNX)和氮化矽氧化矽(SiO2) 碳化矽 (SiC) 等高品質薄膜沉積。 本公司推出的 PECVD 是一部單腔制程的電漿輔助化學氣相沉積系統,適用於 200mm晶圓製造以及Ⅲ-Ⅴ族晶圓制程,可沉積製造薄膜包括氮化矽 (SiNX) 和氮化矽氧化矽 (SiO2) 碳化矽 (SiC) 等高品質薄膜沉積。
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