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4W Single Wafer Load Lock 蝕刻系統
4W 單晶圓進出樣品蝕刻系統是具有需求的靈活度高、具有價格優勢、佔地小等優點。適用一般研發或量產用的離子蝕刻/離子製程工件。4W 單晶圓進出樣品蝕刻系統可搭配不同的樣品台,治具和離子源以符合客戶需求。
4W Single Wafer Load Lock 蝕刻系統特點:
8cm - 22cm 柵極KRI 考夫曼離子源
<3% 不均勻性
樣品平臺可傾斜,旋轉,水冷
150 mm 壓板直徑
SIMS 終點偵測
全電腦控制
反應離子蝕刻
單一晶片台板
4W Single Wafer Load Lock 蝕刻系統應用:
離子蝕刻,離子清洗,等離子灰化,等離子體氧化,表面改性,活性腐蝕,生物醫學. 低溫砷化鎵晶片處理
4W Single Wafer Load Lock 離子蝕刻系統配置:
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基本配置 |
可選 |
可選 |
真空系統: |
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尺寸 |
72” x 50” |
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真空泵 |
磁懸浮渦輪分子泵/ Scroll Pump |
10” cryo / Scroll Pump |
8” cryo / Scroll Pump |
基準壓力 |
8.0 x 10-8 Torr |
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樣品平臺: |
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樣本區域 |
150 mm |
100 mm |
< 100mm |
工裝角度 |
0 - 180° |
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轉速 |
0 – 20 RPM |
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冷卻方式 |
水冷 |
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KRI 考夫曼離子源 |
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孔徑大小 |
22 cm |
12 cm |
8cm |
柵極 |
2 grid, Moly |
2 grid, Moly |
2 grid, Moly |
發射源 |
RF |
RF |
DC |
中和器 |
PBN |
PBN |
燈絲 |
光束 |
200–1000 V |
200–1200 V |
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陰極 |
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Up to Three 2” (RF / DC) |
Up to Three 3” (RF / DC) |
制程氣體 |
Ar, Xe, N2, O2, CF4, SF6, CH4, C2H6 |
Ar, Xe, N2, O2, CF4, SF6, CH4, C2H6 |
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SIMS |
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Hiden Analytical |
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