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KRI 考夫曼離子源簡介

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伯東國際通商股份有限公司為 Kuafman & Robinson,Inc 之總代理. KRI 考夫曼離子源是由離子源發明人Dr.Kaufman 於1978年於美國所創立. KRI 考夫曼離子源歷經30年之改良及研發並取得多項專利, 目前已受各領域肯定.

KRI 考夫曼離子源簡介之high ion bean current及high anode voltage, 加上有效面積廣大, EH1010F , EH1020F…係列, 在於鍍膜之前處理( ISSP)及助鍍(IABD)更有助於提高成膜之沉澱速率, 附著度, 可靠度, 增加折射率, 穿透率...KRI 考夫曼離子源整體設計有著低耗材成本, 安裝簡易, 維護簡單, 無論是在量產單位或是研發單位更是備受肯定及廣泛使用.

KRI 考夫曼離子源 EH1010F, EH1020F…係列, 目前被廣泛應用於AR, IR, 分光鏡,光學蒸鍍鍍膜製程, 多層膜光學鍍膜製程, 低溫度膜製, PVD製程, 材料分析等等…


KRI 考夫曼離子源

KRI 考夫曼離子源 EH1020F 蒸鍍製程設備應用
 

KRI 考夫曼離子源
KRI 考夫曼離子源 EH1020F controller
 

KRI 考夫曼離子源 HOLLOW CATHORD 系列EH200HC,EH400HC,EH1000HC,EH2000HC… 係列不僅廣泛應用於生產單位, 且因離子抨擊能量強, 蝕刻效率快, 可因應多種基材特性,單次使用長久, 耗材成本極低, 操作簡易, 安裝簡易, 所以目前廣泛應用於許多蝕刻製程及基板前處理製程.    

KRI 考夫曼離子源

         EH400HC Etching application ( ion source body )

KRI 考夫曼離子源

                             KRI ion source controller

KRI 考夫曼離子源

      EH400HC Etching application ( ion source igniting )

KRI 考夫曼離子源

FeSeTe etching application ( 110V/1.5A etching rate >20 A/Sec )


KRI 考夫曼離子源

PCCO Etching application (110V/1.5A etching rate >17A/Sec )

  

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