4W-批次式蝕刻系統

Language
- 日本語
- English

產品介紹 Products Information

4W-批次式蝕刻系統

+886-2-8772-8910

4Wave 的批次式蝕刻系統可以依據客戶需求，提供具有設計彈性，價格優勢，佔地空間小等優點的離子蝕刻機或是離子製程設備，做為研發及量產之用。 4Wave的批次式蝕刻系統可以針鍍客戶需求，提供不同的樣品台及配備。

4W-批次式蝕刻系統

4W-批次式蝕刻系統功能

8-22 cm 考夫曼柵極式離子源	二次離子質譜儀終點偵測
不均勻性 < 3%	全電腦控制
水冷、傾斜、旋轉	反應式離子蝕刻
製程範圍可達 150 mm	單晶圓平面旋轉/三晶圓行星式旋轉

4W-批次式蝕刻系統配置

	基本架構	選配	選配
真空系統
尺寸	72” x 50”
抽氣系統	10” cryo/ scroll pump	全磁浮渦輪幫浦/scroll pump	8” cryo/scroll pump
背壓	1 x 10^-7 torr
樣品台
樣品尺寸	150mm	行星式 3 x 150mm	< 100mm
樣品台角度	0-180^o
旋轉速度	0-20 rpm
冷卻方式	水冷
KRI 考夫曼離子源
開口尺寸	22cm	12cm	8cm
柵極	2層柵極，鉬	2層柵極，鉬	2層柵極，鉬
發射源	RF	RF	直流電
中和器	電漿橋中和器	電漿橋中和器	燈絲
離子束	200-1000V/0-1A	200-1200V/0-0.5A
製程氣體	Ar, Xe, N₂, O₂, CF₄, SF₆, CH₄, C₂H₆	Ar, Xe, N₂, O₂, CF₄, SF₆, CH₄, C₂H₆
二次離子質譜儀		Hiden Analytical

檔案下載