4W-BTD AOCS 偏壓式靶材沉積先進光學鍍膜系統

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4W-BTD AOCS 偏壓式靶材沉積先進光學鍍膜系統
4W-BTD AOCS 偏壓式靶材沉積先進光學鍍膜系統

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4W-BTD AOCS 偏壓式靶材沉積先進光學鍍膜系統

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+886-2-8772-8910

4Wave 偏壓式靶材沉積先進光學鍍膜系統

4Wave 的偏壓式靶材沉積先進光學鍍膜系統(簡稱 BTD AOCS)以超過 20 年的離子束和偏壓式靶材濺鍍製程經驗可以提供給客戶最先進的光學薄膜系統。BTD AOCS的設計，可以提供的鍍膜品質，包括密度高，表面平整，品質穩定，且非常低的光學吸收。樣品的進出設計可以確保鍍膜的品質具有重複性。樣品台可以依據客戶的需求做必要的特殊設計。选用KRI 考夫曼离子源.

4Wave 的偏壓式靶材沉積先進光學鍍膜系統

4Wave

4Wave 可以客製化AOCS的系統，以符合客戶特殊的鍍膜或式元件的需求。4Wave同樣可以為客戶開發製程，並可以快速移轉到量產線上。

4Wave 偏壓式靶材沉積先進光學鍍膜系統功能

12cm KRI 考夫曼離子源，做為預清潔用；無柵極式低能量離子源，做為鍍膜用	整合式光學監控系統
工作範圍可達 300 mm	全電腦控制
有樣品進出(load-lock)的設計	適用於惰性與反應性濺鍍製程
300mm 範圍內，不均勻性<1%	平均故障間隔時間 > 1000 小時
晶圓與晶間重複性 < 1%	生產高密度、低吸收、表面光滑之薄膜

4Wave 偏壓式靶材沉積先進光學鍍膜系統配置

真空系統		自動化	選配
腔體尺寸	108”(W) x 68”(L)	電腦化圖控介面	OMS (光學監控系統) 250~1650nm
抽氣系統	10” Cryo Torr/ Scroll pump	遠端控制	OMS (光學監控系統) 250~1650nm
背壓	8 x 10^-8torr	PLC 低階控制	雷射終點偵測系統
氣體壓力	可達 10^-6 torr	通訊協定 SECS/GEM	雷射終點偵測系統
樣品台		靶材
樣品區域	直徑 300mm	靶材尺寸	直徑可達 16”
旋轉速度	0-200 rpm	靶材數目	3
工作區域	獨立真空抽氣	冷卻	水冷
冷卻裝置	水冷	靶材遮板	馬達控制
KRI離子源	沉積(鍍膜)	預清潔	材料特性
離子源開口	8”	12cm	SiO₂
柵極	無柵極	2 層柵極，鉬	沉積速率> 4Å/s
發射源	直流電(無燈絲)	RF, 1.8MHz, ICP	折射率: 1.46-1.48
電漿調整	N/A	頻率調整	應力< 400MPa
離子束	35 eV/20A	200-1200V/0-500mA	Ta₂O₅
中和器	中空陰極	PBN(最高到 3A)	沉積速率> 6Å/s
製程氣體	2種氣體	1種氣體	折射率: 2.09-2.11
			應力< 400MPa

4W-偏壓式靶材沉積先進光學鍍膜系統配置

真空系統		自動化	選配
腔體尺寸	108”(W) x 68”(L)	電腦化圖控介面	OMS (光學監控系統) 250~1650nm
抽氣系統	10” Cryo Torr/ Scroll pump	遠端控制	OMS (光學監控系統) 250~1650nm
背壓	8 x 10^-8torr	PLC 低階控制	雷射終點偵測系統
氣體壓力	可達 10^-6 torr	通訊協定 SECS/GEM	雷射終點偵測系統
樣品台		靶材
樣品區域	直徑 300mm	靶材尺寸	直徑可達 16”
旋轉速度	0-200 rpm	靶材數目	3
工作區域	獨立真空抽氣	冷卻	水冷
冷卻裝置	水冷	靶材遮板	馬達控制
KRI 考夫曼離子源	沉積(鍍膜)	預清潔	材料特性
離子源開口	8”	12cm	SiO₂
柵極	無柵極	2 層柵極，鉬	沉積速率> 4Å/s
發射源	直流電(無燈絲)	RF, 1.8MHz, ICP	折射率: 1.46-1.48
電漿調整	N/A	頻率調整	應力< 400MPa
離子束	35 eV/20A	200-1200V/0-500mA	Ta₂O₅
中和器	中空陰極	PBN(最高到 3A)	沉積速率> 6Å/s
製程氣體	2種氣體	1種氣體	折射率: 2.09-2.11
			應力< 400MP

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