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KRI Ion Source RFICP 200 HO, Gridded RF Ion Source
KRI Ion Source RFICP 200 HO 是一款大型的有柵極離子源,能夠產生高密度的離子束,特別是在 1000 eV 或稍低的能量下獲得極高密度的離子束,因此合適於像離子輔助沉積和離子束刻蝕這樣的低能量的工藝。因為尺寸的大型化,使它更適用於較大覆蓋區域和較高均勻性的要求,因此廣泛應用在大型離子輔助的盒式鍍膜機和較大尺寸 wafer 的離子刻蝕系統。
KRI Ion Source RFICP 200 HO
Model |
RFICP 200 HO |
---|---|
Discharge |
RF inductive |
Filamentless |
Yes |
RF power |
>1 kW |
Ion optics |
OptiBeamTM |