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KRI 考夫曼柵極離子源 RFICP

KRI 考夫曼柵極離子源 RFICP

RPICP 140

RPICP 140

KRI Ion Source RFICP 140, Gridded RF Ion Source
KRI Ion Source RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源,非常適合於離子束濺射沉積、離子輔助沉積和離子束刻蝕。在離子束濺射工藝中,離子源配有離子光學元件,可以很好的控制離子束去濺射靶材,實現完美的薄膜特性。同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中,最佳的離子光學元件能夠完成發散和聚集離子束的任務。就標準的型號而言,可以在離子能量為 100~1000 eV 範圍內獲得很高的離子密度。

RPICP 200

RPICP 200

KRI Ion Source RFICP 200, Gridded RF Ion Source
KRI Ion Source RFICP 200 是一款大型的有柵極離子源,離子能量範圍 100~1000 eV,非常適合於典型的離子束輔助沉積和離子束刻蝕。特有的大面積束源和高密度使它能夠滿足一些極端的工藝並獲得高的均勻性。因此 RFICP 200 被廣泛應用在大型離子輔助的盒式鍍膜機和較大尺寸 wafer的離子刻蝕系統。

RFICP 200 HO

RFICP 200 HO

KRI Ion Source RFICP 200 HO, Gridded RF Ion Source
KRI Ion Source RFICP 200 HO 是一款大型的有柵極離子源,能夠產生高密度的離子束,特別是在 1000 eV 或稍低的能量下獲得極高密度的離子束,因此合適於像離子輔助沉積和離子束刻蝕這樣的低能量的工藝。因為尺寸的大型化,使它更適用於較大覆蓋區域和較高均勻性的要求,因此廣泛應用在大型離子輔助的盒式鍍膜機和較大尺寸 wafer 的離子刻蝕系統。